An Accurate Analytical Model for Tunnel FET Output Characteristics
نویسندگان
چکیده
منابع مشابه
III–V Tunnel FET Model With Closed-Form Analytical Solution
Using an idealized semianalytical model of charge transport for InAs-based tunneling FET, it is shown that the output and transfer characteristics can be accurately reproduced and could be used to develop compact models. The use of a mathematical approximation for the analytical solution of the surface potential is vital here to minimize the computation time. The 20-nm gate homojunction and 40-...
متن کاملAn Accurate Analytical Model for MPEGCoded Video
Coded Video Tra c Hai Liu, Nirwan Ansari, and Yun-Qing Shi Abstract: Self-similar processes, modulated according to the MPEG frame structure, are proposed to capture both the SRD (short range dependency) and LRD (long range dependency) of MPEG video tra c. Introduction: Tra c generated by video applications is increasingly cramming existing networks, and it is thus essential to accurately chara...
متن کاملTunnel FET technology: A reliability perspective
Tunneling-field-effect-transistor (TFET) has emerged as an alternative for conventional CMOS by enabling the supply voltage (VDD) scaling in ultra-low power, energy efficient computing, due to its sub-60 mV/ decade sub-threshold slope (SS). Given its unique device characteristics such as the asymmetrical source/drain design induced uni-directional conduction, enhanced on-state Miller capacitanc...
متن کاملan application of equilibrium model for crude oil tanker ships insurance futures in iran
با توجه به تحریم های بین المملی علیه صنعت بیمه ایران امکان استفاده از بازارهای بین المملی بیمه ای برای نفتکش های ایرانی وجود ندارد. از طرفی از آنجایی که یکی از نوآوری های اخیر استفاده از بازارهای مالی به منظور ریسک های فاجعه آمیز می باشد. از اینرو در این پایان نامه سعی شده است با استفاده از این نوآوری ها با طراحی اوراق اختیارات راهی نو جهت بیمه گردن نفت کش های ایرانی ارائه نمود. از آنجایی که بر...
Analysis of GAA Tunnel FET using MATLAB
In order to improve the energy efficiency of next generation digital systems, transistors withSubthreshold SlopeReferences Q. Zhang, W. Zhao, and A. Seabaugh, "Low-subthreshold-swing tunnel
متن کاملذخیره در منابع من
با ذخیره ی این منبع در منابع من، دسترسی به آن را برای استفاده های بعدی آسان تر کنید
ژورنال
عنوان ژورنال: IEEE Electron Device Letters
سال: 2019
ISSN: 0741-3106,1558-0563
DOI: 10.1109/led.2019.2914014